Silicon carbide semiconductor device and method for producing silicon carbide semiconductor device

WO2024075432 Art A1 11. April 2024

Anmelder: FUJI ELECTRIC CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024075432
Aktenzeichen: EP23874564
Anmeldetag: 29. August 2023
Veröffentlichung: 11. April 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78G01N21/64H01L21/336H01L21/66H01L29/12H01L29/739

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJI ELECTRIC CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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