Methods for forming dram devices without trench fill voids

WO2024077525 Art A1 18. April 2024

Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024077525
Aktenzeichen: EP22961717
Anmeldetag: 12. Oktober 2022
Veröffentlichung: 18. April 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H10B12/00C23C14/04C23C16/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: APPLIED MATERIALS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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