High-voltage-resistance and low-on-resistance igzo thin-film transistor and preparation method therefor
WO2024078637
Art A1
18. April 2024
Anmelder: Southeast University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024078637
- Aktenzeichen
- EP23876836
- Anmeldetag
- 24. Oktober 2023
- Veröffentlichung
- 18. April 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/786H01L29/24H01L29/36H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Southeast University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Southeast University
Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.
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