Sensor comprising auxetic structure and crack-induced conductive layer
WO2024080758
Art A1
18. April 2024
Anmelder: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024080758
- Aktenzeichen
- EP23877681
- Anmeldetag
- 11. Oktober 2023
- Veröffentlichung
- 18. April 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G01B7/16G01L1/22
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Seoul National University R&DB Foundation
Technologietransfer- und Forschungsförderungsstiftung der Seoul National University in Südkorea. Sie verwaltet und vermarktet die an der Universität entstandenen Forschungsergebnisse und Patente.
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