3d memory array and preparation method therefor, and electronic device

WO2024082403 Art A1 25. April 2024

Anmelder: Beijing Superstring Academy of Memory Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024082403
Aktenzeichen: EP22962579
Anmeldetag: 9. Dezember 2022
Veröffentlichung: 25. April 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H10B12/00H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Beijing Superstring Academy of Memory Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Beijing Superstring Academy of Memory Technology

Die Beijing Superstring Academy of Memory Technology ist eine 2020 gegründete chinesische Forschungseinrichtung mit Sitz in Peking, die neue Speicherzellarchitekturen für zukünftige DRAM-Technologien entwickelt. Das Patentportfolio konzentriert sich nahezu vollständig auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Datenspeichertechnik. Die noch junge Patenttätigkeit stammt aus den Jahren 2021 bis 2025.

255 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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