Sense amplifier, control method therefor, and memory

WO2024082562 Art A1 25. April 2024

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2024082562
Aktenzeichen
EP23878562
Anmeldetag
3. April 2023
Veröffentlichung
25. April 2024
Rechtsraum
WO
IPC
G11C7/06G11C7/10
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

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