High electron mobility transistor device and manufacturing method therefor

WO2024082655 Art A1 25. April 2024

Anmelder: ZTE CORPORATION 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024082655
Aktenzeichen: EP23878653
Anmeldetag: 9. Juni 2023
Veröffentlichung: 25. April 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/778H01L21/335

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ZTE CORPORATION
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 ZTE

Chinesisches Unternehmen der Telekommunikations- und Informationstechnik mit Sitz in Shenzhen. Entwickelt Netzwerkausrüstung, Mobilfunktechnik und Endgeräte für Telekommunikationsanbieter.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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