Three-dimensional memory device and method of making thereof using etch stop structures located between tiers

WO2024086045 Art A1 25. April 2024

Anmelder: Sandisk Technologies LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024086045
Aktenzeichen: EP23880428
Anmeldetag: 11. Oktober 2023
Veröffentlichung: 25. April 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H10B41/27H10B43/20H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sandisk Technologies LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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