Anti-fuse structure and method for forming same, and memory

WO2024087461 Art A1 2. Mai 2024

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024087461
Aktenzeichen: EP23881063
Anmeldetag: 13. März 2023
Veröffentlichung: 2. Mai 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/105H01L21/82G11C17/16

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

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