A Vertical Channel-All-Around Metal-Antiferroelectric-Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor
WO2024091179
Art A1
2. Mai 2024
Anmelder: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE 🇸🇬
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024091179
- Aktenzeichen
- EP23883243
- Anmeldetag
- 24. Oktober 2023
- Veröffentlichung
- 2. Mai 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/78H10B41/27H01L29/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE
- Land
- 🇸🇬 Singapur
🇸🇬
National University of Singapore
Staatliche Universität in Singapur, eine der größten und international bestbewerteten Hochschulen Asiens. Sie ist in Forschung und Lehre breit aufgestellt, mit starken Ingenieur- und Naturwissenschaftsfakultäten.
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