Wet etching method for thin film lithium niobate, and thin film lithium niobate device
WO2024092422
Art A1
10. Mai 2024
Anmelder: TSINGHUA UNIVERSITY 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024092422
- Aktenzeichen
- EP22963742
- Anmeldetag
- 31. Oktober 2022
- Veröffentlichung
- 10. Mai 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G02B6/122G02B6/12G02B6/132
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- TSINGHUA UNIVERSITY
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Tsinghua University
Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.
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