Semiconductor structure and preparation method therefor

WO2024092903 Art A1 10. Mai 2024

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024092903
Aktenzeichen: EP22964200
Anmeldetag: 24. November 2022
Veröffentlichung: 10. Mai 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/77H10B41/40H10B41/42H10B43/40H10B51/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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