Dual nitrogen flow capability for low fluorine tungsten deposition

WO2024097068 Art A1 10. Mai 2024

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024097068
Aktenzeichen: EP23886542
Anmeldetag: 26. Oktober 2023
Veröffentlichung: 10. Mai 2024
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/455C23C16/448C23C16/52

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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