Semiconductor laser, method of designing diffraction grating layer of semiconductor laser, and method of manufacturing semiconductor laser

WO2024100836 Art A1 16. Mai 2024

Anmelder: NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024100836
Aktenzeichen: EP22965161
Anmeldetag: 10. November 2022
Veröffentlichung: 16. Mai 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01S5/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NTT (Nippon Telegraph and Telephone)

Japanischer Telekommunikationskonzern mit Sitz in Tokio. NTT ist im Festnetz-, Mobilfunk- und Datennetzgeschäft aktiv und entwickelt Technologien für Netzwerkinfrastruktur, Glasfaser, Cloud-Dienste und Informations- und Kommunikationssysteme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von