Semiconductor epitaxial substrate manufacturing method, semiconductor epitaxial substrate, and semiconductor device

WO2024100958 Art A1 16. Mai 2024

Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024100958
Aktenzeichen: EP23888313
Anmeldetag: 24. August 2023
Veröffentlichung: 16. Mai 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C30B29/36H01L21/329H01L29/47H01L29/872

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.180 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen