Method for evaluating defect position in depth direction of wafer

WO2024100979 Art A1 16. Mai 2024

Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2024100979
Aktenzeichen
EP23888334
Anmeldetag
11. September 2023
Veröffentlichung
16. Mai 2024
Rechtsraum
WO
IPC
G01N23/2055G01N23/205H01L21/66
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.180 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

Vertreten von

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