Semiconductor device
WO2024101006
Art A1
16. Mai 2024
Anmelder: ROHM CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024101006
- Aktenzeichen
- EP23888359
- Anmeldetag
- 21. September 2023
- Veröffentlichung
- 16. Mai 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/78H01L21/28H01L21/3205H01L21/76H01L21/768H01L21/822H01L23/522H01L27/04H01L29/06H01L29/41H01L29/423H01L29/49H01L29/739
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ROHM CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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