Two-dimensional photoelectric semiconductor material having high carrier mobility and use thereof

WO2024108647 Art A1 30. Mai 2024

Anmelder: SHENZHEN INSTITUTES OF ADVANCED TECHNOLOGY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024108647
Aktenzeichen: EP22966332
Anmeldetag: 6. Dezember 2022
Veröffentlichung: 30. Mai 2024
Rechtsraum: WO
IPC: C01B35/00H01L29/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SHENZHEN INSTITUTES OF ADVANCED TECHNOLOGY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Shenzhen Institutes of Advanced Technology

Chinesisches Forschungsinstitut in Shenzhen unter der Chinesischen Akademie der Wissenschaften mit Schwerpunkten in Robotik, Biomedizintechnik und neuen Materialien.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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