Silicon dioxide filler for chip-level underfill, and preparation method therefor and use thereof
WO2024108695
Art A1
30. Mai 2024
Anmelder: SHENZHEN INSTITUTES OF ADVANCED TECHNOLOGY CHINESE 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024108695
- Aktenzeichen
- EP22966377
- Anmeldetag
- 15. Dezember 2022
- Veröffentlichung
- 30. Mai 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C01B33/18C09J11/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SHENZHEN INSTITUTES OF ADVANCED TECHNOLOGY CHINESE
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Shenzhen Institutes of Advanced Technology
Chinesisches Forschungsinstitut in Shenzhen unter der Chinesischen Akademie der Wissenschaften mit Schwerpunkten in Robotik, Biomedizintechnik und neuen Materialien.
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Vertreten von
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