Vertical surrounding gate thin film transistor and manufacturing method therefor

WO2024108729 Art A1 30. Mai 2024

Anmelder: BEIJING SUPERSTRING ACADEMY OF MEMORY TECHNOLOGY, INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024108729
Aktenzeichen: EP22966408
Anmeldetag: 29. Dezember 2022
Veröffentlichung: 30. Mai 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: BEIJING SUPERSTRING ACADEMY OF MEMORY TECHNOLOGY
INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Beijing Superstring Academy of Memory Technology

Die Beijing Superstring Academy of Memory Technology ist eine 2020 gegründete chinesische Forschungseinrichtung mit Sitz in Peking, die neue Speicherzellarchitekturen für zukünftige DRAM-Technologien entwickelt. Das Patentportfolio konzentriert sich nahezu vollständig auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Datenspeichertechnik. Die noch junge Patenttätigkeit stammt aus den Jahren 2021 bis 2025.

255 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von