Memory, read-write method of memory, and manufacturing method for memory

WO2024108879 Art A1 30. Mai 2024

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024108879
Aktenzeichen: EP23892981
Anmeldetag: 17. April 2023
Veröffentlichung: 30. Mai 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H10B61/00G11C11/16

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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