Manufacturing method for semiconductor structure, and semiconductor structure
WO2024108906
Art A1
30. Mai 2024
Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024108906
- Aktenzeichen
- EP23893007
- Anmeldetag
- 4. Mai 2023
- Veröffentlichung
- 30. Mai 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/50
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
2.637 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.