Electronic synapse device having gradient thin film structure, and preparation method and device therefor

WO2024109831 Art A1 30. Mai 2024

Anmelder: Shenzhen Institutes of Advanced Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024109831
Aktenzeichen: EP23893919
Anmeldetag: 22. November 2023
Veröffentlichung: 30. Mai 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H10N70/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shenzhen Institutes of Advanced Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Shenzhen Institutes of Advanced Technology

Chinesisches Forschungsinstitut in Shenzhen unter der Chinesischen Akademie der Wissenschaften mit Schwerpunkten in Robotik, Biomedizintechnik und neuen Materialien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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