High-Voltage Bidirectional Field Effect Transistor

WO2024112426 Art A1 30. Mai 2024

Anmelder: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024112426
Aktenzeichen: EP23895213
Anmeldetag: 8. November 2023
Veröffentlichung: 30. Mai 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/088H01L29/778H01L29/40H01L29/20H02P27/16H02P27/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Wisconsin Alumni Research Foundation

US-amerikanische, mit der University of Wisconsin-Madison verbundene Organisation, die Patente aus universitärer Forschung verwaltet und lizenziert. Die Stiftung wurde 1925 gegründet.

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Fachgebiete

Elektrische Energietechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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