Schottky barrier diode, and preparation method therefor and application thereof

WO2024114254 Art A1 6. Juni 2024

Anmelder: South China University of Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024114254
Aktenzeichen: EP23896408
Anmeldetag: 31. Oktober 2023
Veröffentlichung: 6. Juni 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/872H01L29/06H01L29/40H01L21/329

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: South China University of Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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