Semiconductor device and production method

WO2024114893 Art A1 6. Juni 2024

Anmelder: HITACHI ENERGY LTD 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024114893
Aktenzeichen: EP22822541
Anmeldetag: 29. November 2022
Veröffentlichung: 6. Juni 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/739H01L29/78H01L29/08H01L29/417H01L21/331H01L21/336H01L29/40H01L29/06H01L29/10

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: HITACHI ENERGY LTD
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 Hitachi Energy

Unternehmen mit Sitz in der Schweiz, hervorgegangen aus dem japanischen Hitachi-Konzern und der früheren Energiesparte von ABB. Entwickelt Technik für Stromübertragung, -verteilung und Netzautomatisierung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von