Heteroepitaxial single-crystal-silicon substrate, epitaxial substrate, semiconductor device, and method for manufacturing heteroepitaxial single-crystal-silicon substrate

WO2024116511 Art A1 6. Juni 2024

Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2024116511
Aktenzeichen
EP23897171
Anmeldetag
30. August 2023
Veröffentlichung
6. Juni 2024
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/20C30B29/04C30B29/38
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.180 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von

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