Plasma doping-based method for regulating electrical properties of low-dimensional semiconductor material

WO2024119841 Art A1 13. Juni 2024

Anmelder: Fudan University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024119841
Aktenzeichen: EP23899426
Anmeldetag: 23. Juli 2023
Veröffentlichung: 13. Juni 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/223H01L21/383H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fudan University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Fudan University

Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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