Silicon carbide substrate, epitaxial substrate, semiconductor device, and method for manufacturing silicon carbide substrate

WO2024122270 Art A1 13. Juni 2024

Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024122270
Aktenzeichen: EP23900391
Anmeldetag: 10. November 2023
Veröffentlichung: 13. Juni 2024
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36C01B32/956C30B23/02H01L21/336H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

4.812 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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