Semiconductor device, manufacturing method therefor, heat radiating film forming method, and wiring structure

WO2024122643 Art A1 13. Juni 2024

Anmelder: THE UNIVERSITY OF TOKYO 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024122643
Aktenzeichen: EP23900755
Anmeldetag: 8. Dezember 2023
Veröffentlichung: 13. Juni 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L25/07H01L21/768H01L23/36H01L23/532H01L25/04H01L25/065H01L25/18H10B80/00

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Firma: THE UNIVERSITY OF TOKYO
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 University of Tokyo

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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