Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

WO2024125771 Art A1 20. Juni 2024

Anmelder: HITACHI ENERGY LTD 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024125771
Aktenzeichen: EP22835382
Anmeldetag: 13. Dezember 2022
Veröffentlichung: 20. Juni 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/739H01L29/16H01L29/08H01L21/331H01L29/10H01L29/732H01L29/417H01L23/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: HITACHI ENERGY LTD
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 Hitachi Energy

Unternehmen mit Sitz in der Schweiz, hervorgegangen aus dem japanischen Hitachi-Konzern und der früheren Energiesparte von ABB. Entwickelt Technik für Stromübertragung, -verteilung und Netzautomatisierung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von