Verfahren zum Testen der Widerstandsfähigkeit von Halbleiterscheiben aus Einkristallinem Silizium gegen Thermisch Induzierte Versetzungen
WO2024126089
Art A1
20. Juni 2024
Anmelder: SILTRONIC AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024126089
- Aktenzeichen
- EP23817979
- Anmeldetag
- 1. Dezember 2023
- Veröffentlichung
- 20. Juni 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SILTRONIC AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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