Silicon carbide substrate, method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and method for manufacturing silicon carbide substrate

WO2024127929 Art A1 20. Juni 2024

Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024127929
Aktenzeichen: EP23903225
Anmeldetag: 21. November 2023
Veröffentlichung: 20. Juni 2024
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36H01L21/304

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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