Silicon carbide epitaxial substrate, method for producing silicon carbide semiconductor device, and method for producing silicon carbide epitaxial substrate

WO2024127944 Art A1 20. Juni 2024

Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024127944
Aktenzeichen: EP23903238
Anmeldetag: 24. November 2023
Veröffentlichung: 20. Juni 2024
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36C30B25/20H01L21/20H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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