Composition for forming resist underlayer film, method for producing semiconductor substrate, method for forming resist underlayer film and method for producing metal compound

WO2024128013 Art A1 20. Juni 2024

Anmelder: JSR CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024128013
Aktenzeichen: EP23903303
Anmeldetag: 30. November 2023
Veröffentlichung: 20. Juni 2024
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: JSR CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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