Organometallic chemical vapor deposition-based method for wafer-level manufacturing selenide tin thin film

WO2024128412 Art A1 20. Juni 2024

Anmelder: UNIST(ULSAN NATIONAL INSTITUTE OF SCIENCE AND TECH 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024128412
Aktenzeichen: EP23903618
Anmeldetag: 21. Februar 2023
Veröffentlichung: 20. Juni 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02C30B25/16C30B29/46C30B25/18

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: UNIST(ULSAN NATIONAL INSTITUTE OF SCIENCE AND TECH
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 UNIST (Ulsan National Institute of Science and Technology)

UNIST (Ulsan National Institute of Science and Technology) ist eine staatliche südkoreanische Technische Universität in Ulsan. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Software, ergänzt um Medizintechnik und Verfahrenstechnik. Die Anmeldungen aus den Jahren 2018 bis 2025 betreffen unter anderem Dünnschichtverfahren für Katalysatormaterialien.

272 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von