Method of forming an integrated avalanche photodiode

WO2024128976 Art A1 20. Juni 2024

Anmelder: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE 🇸🇬

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024128976
Aktenzeichen: EP23904130
Anmeldetag: 11. Dezember 2023
Veröffentlichung: 20. Juni 2024
Rechtsraum: WO
IPC: G02B6/12H01L31/107

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE
Land: 🇸🇬 Singapur

🇸🇬 National University of Singapore

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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