Forming Intermetal Nitride Phase in Metal Nitride Layer

WO2024129418 Art A1 20. Juni 2024

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024129418
Aktenzeichen: EP23904296
Anmeldetag: 4. Dezember 2023
Veröffentlichung: 20. Juni 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/285H01L21/768C23C16/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von