Low K Dielectric Gapfill

WO2024129962 Art A1 20. Juni 2024

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024129962
Aktenzeichen: EP23904574
Anmeldetag: 14. Dezember 2023
Veröffentlichung: 20. Juni 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768H01L21/02H01L21/311

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von