Vertically stacked memory element and manufacturing method therefor

WO2024136059 Art A1 27. Juni 2024

Anmelder: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024136059
Aktenzeichen: EP23907345
Anmeldetag: 17. Oktober 2023
Veröffentlichung: 27. Juni 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H10B12/00H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Seoul National University R&DB Foundation

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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