Fin field-effect transistor device based on hybrid conduction mechanism

WO2024138688 Art A1 4. Juli 2024

Anmelder: Fudan University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024138688
Aktenzeichen: EP22969830
Anmeldetag: 30. Dezember 2022
Veröffentlichung: 4. Juli 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336H01L29/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fudan University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Fudan University

Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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