Annular capacitor-based three-dimensional 1s1c memory and preparation method

WO2024138992 Art A1 4. Juli 2024

Anmelder: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024138992
Aktenzeichen: EP23908941
Anmeldetag: 6. Mai 2023
Veröffentlichung: 4. Juli 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H10B12/00H10N97/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Huazhong University of Science and Technology

Die Huazhong University of Science and Technology ist eine chinesische Universität mit Sitz in Wuhan und breiter technischer sowie medizinischer Forschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Mess-, Prüf- und Zeitmesstechnik sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt durch Software und Medizintechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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