Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

WO2024141212 Art A1 4. Juli 2024

Anmelder: HITACHI ENERGY LTD 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024141212
Aktenzeichen: EP23814451
Anmeldetag: 29. November 2023
Veröffentlichung: 4. Juli 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/06H01L29/08H01L21/331H01L29/739H01L29/417

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: HITACHI ENERGY LTD
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 Hitachi Energy

Unternehmen mit Sitz in der Schweiz, hervorgegangen aus dem japanischen Hitachi-Konzern und der früheren Energiesparte von ABB. Entwickelt Technik für Stromübertragung, -verteilung und Netzautomatisierung.

1.608 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von