Reverse-conducting insulated gate bipolar transistor and method for producing a reverse-conducting insulated gate bipolar transistor

WO2024141213 Art A1 4. Juli 2024

Anmelder: HITACHI ENERGY LTD 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024141213
Aktenzeichen: EP23813774
Anmeldetag: 30. November 2023
Veröffentlichung: 4. Juli 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/08H01L29/06H01L29/739H01L21/331H01L29/417H01L29/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: HITACHI ENERGY LTD
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 Hitachi Energy

Unternehmen mit Sitz in der Schweiz, hervorgegangen aus dem japanischen Hitachi-Konzern und der früheren Energiesparte von ABB. Entwickelt Technik für Stromübertragung, -verteilung und Netzautomatisierung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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