Silicon carbide substrate, method for producing silicon carbide single crystal, method for producing silicon carbide substrate, method for producing epitaxial substrate, and method for producing semiconductor device

WO2024142534 Art A1 4. Juli 2024

Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024142534
Aktenzeichen: EP23911318
Anmeldetag: 6. Oktober 2023
Veröffentlichung: 4. Juli 2024
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36C30B23/06C30B25/20H01L21/338H01L29/778H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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