Gallium nitride device and manufacturing method for gallium nitride device

WO2024146457 Art A1 11. Juli 2024

Anmelder: ZTE CORPORATION 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024146457
Aktenzeichen: EP23914589
Anmeldetag: 28. Dezember 2023
Veröffentlichung: 11. Juli 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/778H01L21/335

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ZTE CORPORATION
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 ZTE

Chinesisches Unternehmen der Telekommunikations- und Informationstechnik mit Sitz in Shenzhen. Entwickelt Netzwerkausrüstung, Mobilfunktechnik und Endgeräte für Telekommunikationsanbieter.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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