Reactor design optimization with dc bias pulsing to pedestal

WO2024148031 Art A1 11. Juli 2024

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024148031
Aktenzeichen: EP24738829
Anmeldetag: 2. Januar 2024
Veröffentlichung: 11. Juli 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01J37/32H01L21/683

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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