Signal Generation Circuit

WO2024148729 Art A1 18. Juli 2024

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024148729
Aktenzeichen: EP23915493
Anmeldetag: 16. Mai 2023
Veröffentlichung: 18. Juli 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H03K5/135H03K19/173G11C11/4096

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Elektronik & Schaltungstechnik

Vertreten von

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