Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

WO2024160499 Art A1 8. August 2024

Anmelder: HITACHI ENERGY LTD 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024160499
Aktenzeichen: EP24700291
Anmeldetag: 11. Januar 2024
Veröffentlichung: 8. August 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/08H01L29/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: HITACHI ENERGY LTD
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 Hitachi Energy

Unternehmen mit Sitz in der Schweiz, hervorgegangen aus dem japanischen Hitachi-Konzern und der früheren Energiesparte von ABB. Entwickelt Technik für Stromübertragung, -verteilung und Netzautomatisierung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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