Semiconductor structure and forming method therefor
WO2024164452
Art A1
15. August 2024
Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024164452
- Aktenzeichen
- EP23920650
- Anmeldetag
- 17. Mai 2023
- Veröffentlichung
- 15. August 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/06H01L29/08H01L29/417H01L29/423H01L21/336H01L29/78H01L21/265
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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Vertreten von
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